+- Elektroonikafoorum.com (https://elektroonikafoorum.com)
+-- Foorum: Arutelud (https://elektroonikafoorum.com/forum-3.html)
+--- Foorum: Algajatele (https://elektroonikafoorum.com/forum-14.html)
+--- Teema: Küsimusi transistorite kohta (/thread-256.html)
Küsimusi transistorite kohta - qwerty009 - 29-01-2011
Niisiis vaevavad mõned küsimused millele loodaks siit vastuse saada.
1) IGBT transistor - mis on selle transi nn leivanumber aka kus peaks või võiks just seda tüüpi transsi kasutada. Mida Insulated Gate endast täpsemalt kujutab (ei soovi eestikeelset vastet vaid arusaadavat seletust, nimest võib järeldada, et Gate on Collerctorist ja Emitterist isoleeritud, kuid minule kui võhikule ei ütle see suurt midagi). Üks IGBT datasheet millest võib konkreetse transi tüübi kohta mõne näite mulle tuua:
http://www.st.com/internet/com/TECHNICAL_RESOURCES/TECHNICAL_LITERATURE/DATASHEET/CD00164782.pdf
2) P mosfet: http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/MTP50P03HDL-D.PDF
Datasheedis on rasvaselt märgitud Logic Level. Kas see vihjaks sellele, Kui ma tahan 12V ahelat lülitada näiteks läbi 5V peal töötava loogika, siis andes Gate otsale 5V on transs välja lülitatud ning kui Gate on GND'i ühendatud siis on transs sees? Võhikuna arvaksin, et kui talle 5V anda, siis 12V ahelas jääb ta kuskile nö poole peale, et ei ole sees ega väljas ning eralduvast soojusest laseks suitsu välja? Või on nii, et Kui G=0V siis transs juhib, ning näiteks G=3V enam ei juhi üldse - kindlasti on datasheedis see kõik kirjas, kuid ei jaga kõiki neid lühendeid ning asju, ehk keegi seletaks?
RE: Küsimusi transistorite kohta - alarmiin - 29-01-2011
Ehk on natuke ka siit abi.
http://et.wikipedia.org/wiki/Isoleeritud_paisuga_bipolaartransistor
RE: Küsimusi transistorite kohta - qwerty009 - 30-01-2011
Suurt abi sellest wiki lingist pole, kuna asja väga pinnapealselt käsitletud.
IGBT nagu ka MOSFET on mõeldud kasutamiseks lülitusreziimis (on-off) ning tavaline bipolaartranss on mõeldud lineaarreziimis töötamiseks. Kuid mis oleks IGBT ja MOSFET'i suuremad erinevused?
FET'i datasheedis on märgitud alati kanali takistus (näit 0,0012ohm), kuid IGBT puhul kanali takistust pole märgitud üldse. Kuidas on siis võimalik arvutada seal peal hajuv võimsus näiteks?
RE: Küsimusi transistorite kohta - Rauka - 30-01-2011
Sa lähened asjale üldse valesti.
Neid ei saagi võrrelda.
IGBT -Bipolaartransistor
FET väljatransistor
Ja juppidele on olemas datasheet, sealt saad endale huvipakkuva info kätte.
RE: Küsimusi transistorite kohta - felch - 30-01-2011
IGBT on nagu väljaka ja tavalise bipolaartransi hübriid: juhitakse pingega (mitte vooluga nagu bipolaartranssi) kuid lülitav kanal on nagu bipolaartransil. Kasutati nt. välklambis sähvaka mitmesaja A suuruse voolu kestuse määramiseks. Küllap ka mujal aga seal olen näinud.
RE: Küsimusi transistorite kohta - qwerty009 - 30-01-2011
(30-01-2011, 09:54 PM)felch Kirjutas: IGBT on nagu väljaka ja tavalise bipolaartransi hübriid: juhitakse pingega (mitte vooluga nagu bipolaartranssi) kuid lülitav kanal on nagu bipolaartransil. Kasutati nt. välklambis sähvaka mitmesaja A suuruse voolu kestuse määramiseks. Küllap ka mujal aga seal olen näinud.Saad äkki konkreetsema näite tuua IGBT juhtimisest? Võtame sama IGBT datasheedi esimesest postist. Oletame, et tahan su näites toodud välklampi lülitada. Mis pinge pean Gate otsale andma ning kuidas see D-S ahelat läbivat voolu jms mõjutab?
RE: Küsimusi transistorite kohta - felch - 31-01-2011
Texase välgu juhtimise kivi: http://focus.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/tps65561.pdf
Mõned Toshiba IGBTd (kataloog + veidi ehitusest): http://www.toshiba-components.com/transistors/data/Toshiba%20IGBT%20BCE0010_catalog.pdf
Sinu IGBT DS ütleb et tüürimiseks on vaja vähemasti 4,2V, parem 6V. Seega ei pruugi olla otse prosega tüüritav vaid vajab puhvrit. Lisaks on vaja paisuelektroodi mahtuvus lülitamisel ümber laadida. Seda ka prose koib ei suuda.
Draiverid: http://www.google.ee/search?q=igbt+driver&ie=utf-8&oe=utf-8&aq=t&rls=org.mozilla:et:official&client=firefox-a