02-08-2010, 01:40 PM
(14-07-2010, 12:56 AM)KaruTEC Kirjutas: Vastudiood on MOSFETil puudu. See, mis on tingmärgil, on parasiitdiood ja on mõttetute parameetritega. Ja kui sa paned suurema gate takisti, siis on lülituskiirus madalam ja vastupinge tekib väiksem, seepärast töötabki. Aga suurem gate takistus soojendab jälle transsi. Ühesõnaga: pane MOSFETile korralik vastudiood (Schottky oleks ideaalne) ja jäta gate kusagile 10-30 oomi kanti.
Mul on sarnase koha peal alati tekkinud küsimus, et mis pingele ja voolule too kaitsediood peaks vastama?