Tekkis probleem mosfeti tüürimisega ja ei saa aru, mida valesti teen.
Tegin mootori (max vool 25A) kiiruse regulaatori LM224N baasil ja tahtsin kasutada mosfeti tüürimiseks driverit MC34151P (nagu ma aru saan on kasulik kasutada driverit, et tõsta mosfeti ümberlülitamise kiirust, mis vähendab temalt eralduvat soojust, eriti kui pwm'i sagedus läheb kõrgeks). Paraku aga kõrbeb driver kohe, kui proovin asja koormusega. Ilma koormuseta või kui ühendan mosfeti gate läbi 100 oomise takisti opampi väljundiga asi toimib. Tahakski aru saada, mis ma siis valesti teen ja miks see driver kõrbeb, speci järgi peaks ta ju kannatama 1.5A voolu, 15oomine takisti driveri väljundi ja gate vahel võiks aga piirata seda alla 1A, max 14V toite korral.
Mosfetiks on IRL2203N & opampi toidan läbi 9V stabilisaatori. Gate juures on dioodiks 1N5819 & mootoriga paralleelselt MBR2545CP ja toites 1N4002.
Vastudiood on MOSFETil puudu. See, mis on tingmärgil, on parasiitdiood ja on mõttetute parameetritega. Ja kui sa paned suurema gate takisti, siis on lülituskiirus madalam ja vastupinge tekib väiksem, seepärast töötabki. Aga suurem gate takistus soojendab jälle transsi. Ühesõnaga: pane MOSFETile korralik vastudiood (Schottky oleks ideaalne) ja jäta gate kusagile 10-30 oomi kanti.
(13-07-2010, 07:07 PM)spirit Kirjutas: Tervist,
Tekkis probleem mosfeti tüürimisega ja ei saa aru, mida valesti teen.
Tegin mootori (max vool 25A) kiiruse regulaatori LM224N baasil ja tahtsin kasutada mosfeti tüürimiseks driverit MC34151P (nagu ma aru saan on kasulik kasutada driverit, et tõsta mosfeti ümberlülitamise kiirust, mis vähendab temalt eralduvat soojust, eriti kui pwm'i sagedus läheb kõrgeks). Paraku aga kõrbeb driver kohe, kui proovin asja koormusega. Ilma koormuseta või kui ühendan mosfeti gate läbi 100 oomise takisti opampi väljundiga asi toimib. Tahakski aru saada, mis ma siis valesti teen ja miks see driver kõrbeb, speci järgi peaks ta ju kannatama 1.5A voolu, 15oomine takisti driveri väljundi ja gate vahel võiks aga piirata seda alla 1A, max 14V toite korral.
Mosfetiks on IRL2203N & opampi toidan läbi 9V stabilisaatori. Gate juures on dioodiks 1N5819 & mootoriga paralleelselt MBR2545CP ja toites 1N4002.
(14-07-2010, 12:56 AM)KaruTEC Kirjutas: Vastudiood on MOSFETil puudu. See, mis on tingmärgil, on parasiitdiood ja on mõttetute parameetritega. Ja kui sa paned suurema gate takisti, siis on lülituskiirus madalam ja vastupinge tekib väiksem, seepärast töötabki. Aga suurem gate takistus soojendab jälle transsi. Ühesõnaga: pane MOSFETile korralik vastudiood (Schottky oleks ideaalne) ja jäta gate kusagile 10-30 oomi kanti.
Mul on sarnase koha peal alati tekkinud küsimus, et mis pingele ja voolule too kaitsediood peaks vastama?
Tegemist ei ole tegelikult "kaitse" dioodiga, kuna see ei "söö" ülepingeid. Tegemist on dioodiga, mis hakkab juhtima et säilitada vooluringi, seega ülioluline vidin H sillas.
Kuidas valida ?
1. Vastupinge vähemalt toitepinge*1.5 (v.a. Schottky puhul, kus vastupinge võib olla ca 1.2*toide, kuna Schottky lubab vastupinge läbilööki, ehkki iga case tuleb eraldi läbi arvutada !)
2. Vool sama mis transil.
3. Lülituskiirus - fast või ultrafast või Schottky. Schottky on kõige kiirem. Ka SiC dioodid on head.
4. Päripingelang. Kipub olema nii et madal päripinge oleks justkui parem. Aga tegelikult tekib enamus dioodi kadusid lülitamisest, seega tuleb esmajoones vaadata punkt 3. ja arvutada kogu võimsuskadu. On olnud juhuseid kus päripingelang on 2 korda madalam kuid diood läheb ikka soojemaks kui esmapilgul "viletsam" isend.
02-08-2010, 10:45 PM (Seda postitust muudeti viimati: 02-08-2010, 10:46 PM ja muutjaks oli felch.)
Seda veel et kui FET on juba sisemise dioodiga, ei tohiks talle välist dioodi külge panna vaid valida uus FET, millel sees dioodi pole. Vastasel juhul hakkavad erinevad dioodid erivatel hetkedel lülituma ja transs põleb. Vähemasti CRT monitoride realaotuses põles küll. Mitte kohe aga varsti!
Felch, see on udujutt. Kõikidel powerfettidel on body-diode juba tehnoloogiliselt paratamatult olemas.
Kuna paralleeldiood on enamasti madalama pingelanguga ja lülitab kiiremini, siis ei sega body-diood normaalset tööd. Osadel MOSFETidel on korralik diood juba sisse topitud. (HEXFET with integrated Schottky)
Kiires rakenduses tuleks MOSFETiga jadamisi panna Schottky, siis body-diood üldse ei lülita.
Need molud on vanaaegsed (nüüd) aga oli tõesti nii. See oli tõepoolest udu, et FET.Seal oli tavaline bipolaar nt. BU508: http://www.st.com/stonline/books/pdf/docs/4491.pdf
Diood oli eraldi. Kui unustasid ja asendasid BU508D-ga, siis mõne aja pärast põles.
