30-01-2011, 02:28 PM
Suurt abi sellest wiki lingist pole, kuna asja väga pinnapealselt käsitletud.
IGBT nagu ka MOSFET on mõeldud kasutamiseks lülitusreziimis (on-off) ning tavaline bipolaartranss on mõeldud lineaarreziimis töötamiseks. Kuid mis oleks IGBT ja MOSFET'i suuremad erinevused?
FET'i datasheedis on märgitud alati kanali takistus (näit 0,0012ohm), kuid IGBT puhul kanali takistust pole märgitud üldse. Kuidas on siis võimalik arvutada seal peal hajuv võimsus näiteks?
IGBT nagu ka MOSFET on mõeldud kasutamiseks lülitusreziimis (on-off) ning tavaline bipolaartranss on mõeldud lineaarreziimis töötamiseks. Kuid mis oleks IGBT ja MOSFET'i suuremad erinevused?
FET'i datasheedis on märgitud alati kanali takistus (näit 0,0012ohm), kuid IGBT puhul kanali takistust pole märgitud üldse. Kuidas on siis võimalik arvutada seal peal hajuv võimsus näiteks?